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本文首先简单介绍了半导体芯片的加工流程,然后给出了压焊点晶体缺陷的概念和影响。压焊点晶体缺陷来源于晶片的加工阶段,影响到后续封装的引线可靠性。为了解决这一问题,我们仔细的分析了压焊点的制造工艺,并且结合现有的研究成果,得出了要根本性的减少压焊点晶体缺陷,就要降低压焊点表面氟元素含量这一观念。接下来我们采用归纳总结的方法,用实验来验证各种对于压焊点表面氟元素来源以及如何降低之的推测。其一,是去胶工艺时间对于压焊点表面氟元素含量的影响;其二,是清洗工艺时间对于压焊点表面氟元素含量的影响;其三,是去胶工艺温度对于压焊点表面氟元素含量的影响;最后,还有一些奇思妙想,包括在清洗之前增加氩气等离子体刻蚀工艺以及在清洗之后再进行一次去胶工艺。通过归纳终结,我们得出了三种有效降低压焊点表面氟元素含量的方法:延长清洗工艺的时间,低温去胶工艺以及氩气等离子体刻蚀压焊点。在现实生产中,根据实验的结果,我们用60分钟的清洗工艺取代了原来的40分钟工艺,使得压焊点晶体缺陷从以前的平均每月300多片的缺陷率降低到现在很少发现的水平。氩气等离子体刻蚀压焊点的想法由于有负面的影响,并没有被应用。低温去胶工艺也没有广泛应用的原因是我们在采用了60分钟的清洗工艺之后已经解决了压焊点晶体缺陷的问题。