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透射电镜电学测试样品杆和扫描电镜联合系统的测试

        利用此系统对Si纳米线进行原位应变加载下电输运性能的测试，证实其可用性。在扫描电镜中不同于透射电镜中的操作使用，无法实现对焦，可以借助于扫描电镜中Work Distance来调试探针实现Z轴的校准，移动探针和Si纳米线完全接触。利用控制系统来控制探针移动，对Si纳米线进行变形。图7给出了3个不同应变下的SEM图，显示其施加应变操作过程。并在此变形过程中，施加-10V到+10V的电压，得到相应的应变状态下电流-电压（I-V）曲线。图8显示出3个典型的半导体I-V测试曲线，可以看出，随着变形的逐渐增大，Si纳米线的导电能力增强，这与作者之前透射电镜中的研究结果一致