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近年来，太赫兹技术发展迅速，应用越来越广泛，是当前的热门研究领域。由于太赫兹量子级联激光器是产生太赫兹辐射的重要器件，因此科学家开始钻研太赫兹量子级联激光器的研究中，而就在近日，我国太赫兹量子级联激光器领域有了重大进展，半导体研究所成功研制出系列太赫兹量子级联激光器产品。

    中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，低维半导体材料与器件北京市重点实验室， 在国家科技部，自然科学基金，及中科院等项目的支持下，经过努力探索，制备成功太赫兹量子级联激光器系列产品。

    太赫兹（THz）量子级联激光器是一种通过在半导体异质结构材料的导带中形成电子的受激光学跃迁而产生相干极化THz辐射的新型太赫兹光源。中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室经过多年的基础研究和技术开发，目前推出系列太赫兹量子级联激光器产品。频率覆盖2.9~3.3 THz，工作温度10~90 K，功率5~120mW。

半导体研究所成功推出系列太赫兹量子级联激光器产品

半导体研究所成功推出系列太赫兹量子级联激光器产品

半导体研究所成功推出系列太赫兹量子级联激光器产品

    太赫兹波介于中红外和微波之间，是一种安全的具有非离化特征的电磁波。它能够穿透大多数非导电材料同时又是许多分子光学吸收的特征指纹光谱范围。它的光子能量低（1 THz对应的能量大约4 meV），穿透生物组织时不会产生有害的光电离和破坏，在应用到对生物组织的活体检验时，比X光更具优势。它的波长比微波短，能够被用于更高分辨率成像。THz波在分子指纹探测、诊断成像、安全反恐、宽带通讯、天文研究等方面具有重大的科学价值和广阔的应用前景。

    此外，作为固态半导体器件的太赫兹量子级联激光器具有能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点，目前已成为太赫兹技术领域的研究热点之一。而近年来，太赫兹量子级联激光器有了迅速的发展，有望在太赫兹通信领域得到应用。