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入射电子与样品相互作用后，使样品原子较外层电子（价带或导带电子）电离产生的电子， 称二次电子。二次电子能量比较低，习惯上把能量小于 50eV 电子统称为二次电子。二次电 子能量低，仅在样品表面 5nm－10nm 的深度内才能逸出表面，这是二次电子分辨率高的重 3 要原因之一。凸凹不平的样品表面所产生的二次电子，用二次电子探测器很容易全部被收集， 所以二次电子图像无阴影效应，二次电子易受样品电场和磁场影响。二次电子的产额δ≒ K/cosθ,K 为常数，θ为入射电子与样品表面法线之间的夹角，θ角越大，二次电子产额越 高，这表明二次电子对样品表面状态非常敏感。二次电子的产额除了和电子入射角、样品表 面状态有关外，还与电子束加速电压、样品组成等有关。