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背散射电子是指入射电子与样品相互作用(弹性和非弹性散射)之后，再次逸出样品表面 的高能电子，其能量接近于入射电子能量( E。)。背射电子的产额随样品的原子序数增大而 增加，所以背散射电子信号的强度与样品的化学组成有关，即与组成样品的各元素平均。背散射电子与二次电子的信号强度与 Z 的关系 子序数有关。用背散射电子像可以观察未腐 蚀样品的抛光面元素分布或相分布，并可确定元素定性、定量分析点。背射电子的强度还与样品中的晶面取向及入射电子的入射方向有关。利用这种特性可以 观察单晶和大晶体颗粒的生长台阶和生长条纹。生长台阶和生长条纹的高差一般都很小，但 背射电子像已有明显衬度。如果用二 次电子像观察这类易产生污染的材料，不但台阶衬度小，而且图像出现许多污染斑。