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众所周知，石墨烯是一种零带隙的二维原子晶体材料，为了适应其快速应用，人们发展了一系列方法来打开石墨烯的带隙，例如：打孔，用硼或氮掺杂和化学修饰等，这样就会给石墨烯引入缺陷，从而对其电学性能和器件性能有很大的影响。拉曼光谱在表征石墨烯材料的缺陷方面具有独特的优势，带有缺陷的石墨烯在1350cm^-1附近会有拉曼D峰，一般用D峰与G峰的强度比（I_D/I_G）以及G峰的半峰宽（FWHM）来表征石墨烯中的缺陷密度 ^{[4, 5]}。图4 ^[4]揭示了I_D/I_G随着³⁷Cl⁺辐照能量增加的变化曲线图及对应的辐照能量的HRTEM图。I_D/I_G的最大值出现在³⁷Cl⁺辐照能量约为10¹⁴ ions/cm²处。研究表明，缺陷密度正比于I_D/I_G，因此此时的缺陷是最多的。进一步增加辐照能量（10¹⁶inos/cm²），样品已经完全非晶化了（HRTEM）。拉曼光谱依然有效，这是因为样品仍保留了sp²结构的相。此外，含有缺陷的石墨烯还会出现位于1620cm^-1附近的D^’峰。I_D/I_D，与石墨烯表面缺陷的类型密切相关 ^[5]。综上所述，拉曼光谱是一种判断石墨烯缺陷类型和缺陷密度的非常有效的手段。

图4 I_D/I_G随着³⁷Cl⁺辐照能量增加的变化曲线图及对应的辐照能量的HRTEM图^[4]