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日本电子发布新一代FE-EPMA
发布时间:2017-01-06]  阅读次数:1850次

来源:分析测试百科网

  分析测试百科网讯 近日,日本电子株式会社发布了肖特基式场发射电子探针显微分析仪(EPMA)JXA-8530F Plus。

JXA-8530FPlus

  产品研发背景

  日本电子在2003年推出了世界上第一台商业化的FE-EPMA,JXA-8500F。一直被高度重视的FE-EPMA被应用于金属、材料、地质行业及学术界等各个领域。

  JXA-8530FPlus是第三代FE-EPMA,通过一种改进的电子光学系统增强了其分析和成像能力。肖基特热场发射枪结合新的软件提供了高通量。尖端的FE-EPMA也附带可拓展的多功能室。合并了多种功能以后,JXA-8530FPlus可以满足各种用户对于保持高稳定性的要求,从而使得EPMA可以得到更高的分辨率。

  主要特征

  肖特基热场发射电子探针Plus版本

  肖特基热场发射电子探针Plus版本优化了角电流密度,允许对2μA或更高的探针电流进行分析,甚至在通过自动调整为正确收敛角的分析条件下,保证得到的二次电子图像已得到改进。

  先进的软件

  先进的Microsoft Windows®基于丰富的应用系统,包括:

  1)微量元素分析程序简单:通过添加5个光谱仪的收集来的数据来优化分析微量元素;

  2)基于主要成分自动化的创建阶段图像;

  3)自动化WDS的非表面分析程序对不规则表面样品的分析。

  灵活的WDS配置

  可以选择各种x射线光谱仪(WDS):罗兰圆半径的140毫米(140 r)或140毫米(100 r),2水晶或4水晶配置和标准或大尺寸晶体的混合体。

  XCE(2 xtl) X射线光谱仪,FCS(4 xtl)X射线光谱仪和L(大2 xtl)x射线光谱仪140 r宽光谱范围,提供优越的波长分辨率和峰背比率。

  100 r的H型x射线光谱仪提供高x射线强度。用户可以选择从这些光谱仪取决于需求。

  WDS/EDS系统相结合

  JXA-8530FPlus附带JEOL 30 mm2硅漂移探测器(SDD)。高计数率SDD以及一个原位可变孔径可以EDS分析改进算法的条件。EDS光谱、地图和线扫描和改进算法可以同时获得数据。

  多用途室

  jxa-8530 fplus配有大量可扩展样品室,样品室交换,使您能够集成各种可选附件室。包括:

  电子背散射衍射系统(EBSD)

  阴极发光检测器(全色、单色、彩色高光谱)

  软x射线发射光谱仪

  空气分离器

  高蚀刻率离子源

  强大清洁的真空系统

  JXA-8530FPlus采用一个强大的、清洁的真空系统,包括两条磁悬浮涡轮高真空泵。此外,提供了一个双阶段电子光学列的中间室,从而维持高真空电子枪腔内的微分抽水。添加可选的滚动泵和液氮创建最终的无油真空系统。

  软x射线发射光谱仪(sx)

  超高能量分辨率软x射线发射光谱仪是由先进材料多学科研究所,日本东北大学和日本电子有限公司等联合开发。可变线距(VLS)光栅可以同时检测(EDS),并允许检测Li-K常数与高灵敏度CCD光谱。这种光谱仪达到非常高的能量分辨率,支持详细化学键的状态分析。

  显微镜使用 (相关显微镜)

  通过x,y轴的坐标,可以把光学显微镜锁定在你感兴趣的位置,记录并转换成电子探针来对所选位置进行成像和分析。

  主要参数

元素分析范围WDS:(Be)B to U,EDS:B to U
X射线范围WDS谱:0.087-9.3nm,EDS能谱:20keV
X射线光谱仪数量WDS:1-5可选,EDS:1
样品最大尺寸100mm*100mm*50mm(H)
加速电压1-30Kv(每次0.1Kv)
探针电流稳定性±0.3%/h(10kV,50nA)
二次电子图像分辨率3 nm at WD 11 mm, 30 kV

20 nm at 10 kV, 10 nA, WD 11 mm

50 nm at 10 kV, 100 nA, WD 11 mm

放大倍数×40 to ×300,000 (WD 11 mm)
扫描图像像素分辨率最高5,120 × 3,840



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