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　　分析测试百科网讯 HORIBA科学仪器事业部最近为辉光放电发射光谱（GD-OES）的深度分析发布了DiP创新系统。

　　DiP(差分干涉分析)为无需校准的深度剖面分析提供了实时的镀层厚度、断面深度和溅射速度。

　　GD-OES是公认的快速、多元素的导电和非导电材料深度分析技术。GD-OES依赖于被调查样品代表区域的等离子体溅射，在高分辨率光谱仪上同时测量所有感兴趣的元素。GD-OES的溅射速率取决于所测材料，当多层测量时，它们随深度变化。在此之前，准确定量所需溅射速率的估计是计算（倾向于不确定性）或外部测量的结果。

　　GD-OES仪器DiP（差分干涉分析）系统专利的引进实现了镀层厚度原位直接测量。

　　DiP现在可提供实时、溅射过程中、无需校准的：

• 　　断面深度

• 　　镀层厚度

• 　　溅射速率

　　在DiP系统中，从相同的激光光源发出的两束光一束定向射向GD断面的中央，另一束定向射向靠近GD断面的完整样品表面。如果材料反射足够，反射光束被搜集和测量并给出精确测量的侵蚀率、镀层厚度以及断面深度。

　　DiP用于反射表面和材料如PVD涂层、LED、Si涂层等是非常理想的，而光谱椭偏仪则需要透明层。

　　“我们设计了DiP，所以在我们现有的GD-OES仪器上DiP可以进行改装，” HORIBA科学仪器事业部GD产品经理Patrick Chapon说。“由于光接口的设计不会改变光谱仪的光通量，所以我们的客户可以轻松升级和提高他们仪器的性能。”