日本东芝公司、美国IBM和AMD公司12月17日联合发表新闻公报说，这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0.128平方微米的静态随机存取存储器（SRAM）元件，并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。

 

公报说，以往使用平面晶体管制造SRAM元件时，半导体厂家通常依靠向元件内注入大量混合物来调节晶体管的特性，从而缩小晶体管的体积。但是，这样的调节方法容易造成晶体管特性参差不齐，从而导致SRAM元件稳定工作的性能下降。而不需要向硅通道注入大量混合物的鳍式场效晶体管，被业界认为可以替代以往的平面晶体管，从而既抑制晶体管特性的参差不齐，又可实现SRAM元件的小型化。

 

公报说，研究人员依靠新技术，用极其微小的非平面晶体管——鳍式场效晶体管制造出了SRAM元件。此前，世界上最小的SRAM元件的面积为0.274平方微米，新研制出的SRAM元件的面积比前者缩小了超过50%。

 

SRAM是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路就能保持它内部存储的数据不消失，因而具有更高的性能。把SRAM元件做得更小，芯片面积也能随之缩小，就有可能制作出更高速且更省电的处理器。

 

《科学时报》 (2008-12-19 A3 国际)